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【推荐语】
各种分析工具可有效提升良率
多位日本半导体专家倾力打造
硅集成电路 (LSI) 的失效分析
功率器件的缺陷、失效分析
化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析
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【内容】
本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。
本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到近期新研究，覆盖范围较广。
本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到近期新研究，覆盖范围较广。
【目录】
前言
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要
1.1失效分析的定位
1.2缺陷分析的定位
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要
专栏:NANOTS的成立与更名
第1章参考文献
第2章 硅集成电路(LSI)的失效分析技术
2.1失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术
2.2封装部件的失效分析
2.3芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览
2.4芯片部件的无损分析方法
2.5芯片部件的半破坏性分析
2.6物理和化学分析方法
专栏:应该如何命名?
第2章练习题
第2章缩略语表
第2章参考文献
……
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要
1.1失效分析的定位
1.2缺陷分析的定位
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要
专栏:NANOTS的成立与更名
第1章参考文献
第2章 硅集成电路(LSI)的失效分析技术
2.1失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术
2.2封装部件的失效分析
2.3芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览
2.4芯片部件的无损分析方法
2.5芯片部件的半破坏性分析
2.6物理和化学分析方法
专栏:应该如何命名?
第2章练习题
第2章缩略语表
第2章参考文献
……
