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【内容】
本书对碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性进行了研究.主要内容包括SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备、SiC/Si-VPA的场致发射性能研究、SiC/Si-NPA的光致发光性能研究、SiC/Si-NPA的气体传感性能研究等。
本书结构合理.条理清晰,内容丰富新颖,是一本值得学习研究的著作,可供相关人员参考使用。
【目录】
目录
前言
第1章绪论
1. 1 半导体材料的发展
1. 2 SiC半导体的基本性质
1. 3 SiC纳米材料的研究
1. 4 硅基复合体系
1. 5 本书的研究内容
第2章SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备
2.1 引言
2.2 Si-NPA的制备和表征
2.3 SiC纳米晶/Si-NPA的制备和表征
2.4 SiC纳米线/Si-NPA的制备和表征
2.5 小结
第3章SiC/Si-NPA的场致发射性能研究
3.1 引言
3.2 nc-SiC/Si-NPA的I-V特性
3.3 nw-SiC/ Si-NPA的场发射性能
3.4 CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的场发射性能
3.5 小结
第4章SiC/Si-NPA的光致发光性能研究
4.1 引言
4.2 nw-SiC/Si-NPA的光致发光性能
4.3 nc-SiC/Si-NPA光致发光性能
4.4 小结
第5章SiC/Si-NPA的气体传感性能研究
5.1 引言
5.2 SiC基气体传感器
5.3 SiC/Si-NPA气体传感器的制备
5.4 H2S气体传感器
5.5 湿度传感器
5.6 小结
结论与展望
参考文献
附录
【书摘插画】
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